会议名称(中文)：第十三届全国金属有机化学气相淀积( MOCVD )学术会议
会议名称(英文)：
所属学科：金属材料
开始日期：2014-05-07
结束日期：2014-05-09
所在国家：中华人民共和国
所在城市：江苏省 扬州市
具体地点：扬州经济技术开发区
主办单位：中国有色金属学会
协办单位：
承办单位：北京大学 国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA） 中国电子科技集团第五十五研究所
议题：
[ 组织结构 ]
会议主席：
组织委员会主席：
程序委员会主席：
会议嘉宾：
姓名 职务 简介 演讲题目
[ 重要日期 ]
摘要截稿日期：2014-03-15
[ 会务组联系方式 ]
联系人：王新强
联系电话：
传真：
E-MAIL：mocvd13 @pku.edu.cn
通讯地址：
邮政编码：
会议注册费：
会议网站：http://www.mocvd13.org.cn/
会议背景介绍：
金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了飞速进步，目前已经在氮化物、砷化物、磷化物、碲化物和氧化物等重要半导体材料及其量子结构的制备上得到广泛应用，极大地推动了光电子器件和电子器件的发展和产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。
作为MOCVD生长技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，自1989年第一届会议举办以来，“全国MOCVD学术会议”已经成功举办了十二届，规模和影响越来越大，已成为全国学术界和产业界广泛关注的学术盛会。本次会议选择在“烟花三月下扬州”的美好春色中在古城扬州举行，来自大陆和台港地区的与会学者、工程师和企业家将在MOCVD生长技术、MOCVD设备研发、材料结构与物性、以及光电子和电子器件研发等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。
征文范围及要求：
会议征文内容：
1．外延生长机理和生长动力学
2．外延结构与物性
3．光电子材料与器件
4．电子材料与器件
5．其他材料与器件
6．封装技术及封装材料
7．设备研制与开发
8．衬底、MO 源、高纯气体等基础材料 |
