陈剑豪
量子材料中心副教授，博士生导师
简历：
2004年毕业于浙江大学竺可桢学院
2009年在马里兰大学获物理博士学位 (Ellen Williams Group)
2009年至2010年在马里兰大学任博士后 (Michael Fuhrer Group)
2010年至今在加州大学伯克利分校及洛伦兹伯克利国家实验室任博士后 (Alex Zettl Group)
2012年入选国家“青年千人计划”
2013年起担任北京大学物理学院量子材料科学中心研究员，博士生导师
主要研究方向：
实验手段：新型超高真空原位量子输运测量仪器
实现功能：实现对低维/纳米电子体系相互作用（如电子-电子相互作用、自旋-轨道耦合强度、电子-杂质相互作用）的精确控制，及在低温和高磁场条件下的原位量子输运测量。
实验内容：低维纳米电子材料和器件的物性研究，具体包括：
(1) 石墨烯及其他低维量子材料、低维复合结构的量子输运性质表征与应用研究；
(2) 三维拓扑绝缘体表面态的量子输运表征；
(3) 载流子散射机理、二维电子局域化原理、局域化－超导相变原理
过去的主要工作及获得的成果：
（1）首次量化测量带电杂质对石墨烯输运性质的影响，解决了学界在关于石墨烯最主要散射源的持久争论，证明带电杂质为高质量石墨烯器件的最主要散射源；
（2）首次量化测量石墨烯声学声子及器件基底极化光学声子对石墨烯载流子的散射，实验发现在只考虑声子散射的情况下石墨烯为室温下最好的导体，导电率高于铜，电子迁移率远高于常规半导体材料，并在存在各种散射源的情况下对石墨烯电子迁移率的极限作出预测；
（3）首次量化测量晶格缺陷对石墨烯输运性质的影响，并发现晶格缺陷引入了多种量子散射效应，如弱局域化效应；
（4）首次发现单层石墨烯的晶格缺陷有磁性并与石墨烯的载流子有很强的自旋相互作用而导致Kondo效应；
（5）首次使用转移印刷方法在透明弹性基底上成功制造出高电子迁移率的单原子层石墨烯场效应管，刷新了转移印刷方法的应用极限，及展示了石墨烯在弹性电子器件方面的应用前景。
论文及其它学术活动：
在国际学术期刊发表了13篇论文。其中第一作者包括2篇Nature Physics, 1篇Nature Nanotechnology, 1篇Physical Review Letters，1篇Advanced Materials，1篇 Solid State Communications。文章被引用总数超过2000次。
在国际会议上发表学术报告多次，其中在APS March Meeting，MRS Spring Meeting, International Conference on Low Temperature Physics 上做过邀请报告，并应邀在Harvard University, Massachusetts Institute of Technology, Stanford University, UC Berkeley,
IBM Watson Research Center, IBM Almaden Research Center等大学和科研院所做过学术报告。
现为APS、IOP、IEEE、Wiley-VCH等国际学术出版机构旗下系列科学杂志的审稿人（审阅过如PRL, PRB, JPCM, EPL, Nanotechnology, NJP,
IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Nanotechnology, Advanced Materials, Advanced Energy Materials 等等杂志的投稿）。
主要论文及媒体报道：
· J. -H. Chen, W. G. Cullen, E. D. Williams, M. S. Fuhrer,
“Tunable Kondo Effect in Graphene with Defects”, Nature Physics 7, 535(2011)
· “New Way to Control Magnetic Properties of Graphene Discovered”, Science Daily, April, 2011.
· J. -H. Chen, W. G. Cullen, C. Jang, M. S. Fuhrer, E. D. Williams,
“Defect Scattering in Graphene”, Physical Review Letters 102, 236805 (2009)
· J. -H. Chen, C. Jang, M. Ishigami, S.Xiao, W. G. Cullen, E. D. Williams, M. S. Fuhrer,
“Diffusive Charge Transport in Graphene on SiO2”, Solid State Communications 149, 1080 (2009)
· J. -H. Chen, C. Jang, S. Xiao, M. Ishigami, M. S. Fuhrer,
“Intrinsic and Extrinsic Performance Limits of Graphene Devices on SiO2”,
Nature Nanotechnology 3, 206 (2008)
- “Graphene could be the new silicon”, Scientific American News Blog, March 31, 2008.
- “Is Graphene the new silicon?”, NSF Press Release 08-048, March 27, 2008.
- “Carbon could enable fastest chips”, by Colin Johnson, EE Times, March 25, 2008.
· J. -H. Chen, C. Jang, S. Adam, M. S. Fuhrer, E. D. Williams, M. Ishigami,
“Charged Impurity Scattering in Graphene”, Nature Physics 4, 377 (2008)
· J. -H. Chen, M. Ishigami, C. Jang, D. R. Hines, M. S. Fuhrer, E. D. Williams,
“Printed Graphene Circuits”, Advanced Materials 19, 3623 (2007)
· M. Ishigami, J. -H. Chen, W. G. Cullen, M. S. Fuhrer, E. D. Williams,
“Atomic Structure of Graphene on SiO2”, Nano Letters 7, 1643 (2007)
- “Clean Up on Graphene”, Editor's Choice, Science 316, 1543, June 15, 2007.
- “Graphene: What lies beneath”, Research Highlights, Nature Nanotechnology, May 25, 2007.
(doi:10.1038/nnano.2007.183)
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