主讲课程: 半导体激光物理学 近代物理实验
主研究方向 分子半导体:材料,器件及物理 纳米半导体:材料,器件及物理 硅光子学:硅基发光与激光
主要获奖: 2005年 北京市科学技术一等奖(排名三) 2007年 国家自然科学二等奖 (排名二)项目:氧化硅纳米硅体系的发光及物理机制
代表论文: 1.Zhao WQ, Ran GZ, Xu WJ, et al.Passivated p-type silicon: Hole injection tunable anode material for organic light emission, APPLIED PHYSICS LETTERS 92, 073303 Published: FEB 18 2008 2.Ran GZ, Wu ZL, Ma GL, et al. Improvement of the charge imbalance caused by the use of a p-type silicon anode in an organic light-emitting diode CHEMICAL PHYSICS LETTERS 400, 401-405 DEC 21 2004 3.Ran GZ, Chen Y, Qin WC, et al.Room-temperature 1.54 um electroluminescence from Er-doped silicon-rich silicon oxide films deposited on n(+)-Si substrates by magnetron sputtering JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 90, 5835 DEC 1 2001
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