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本刊欢迎涉及微电子学基础理论,微电子器件与电路,模拟集成电路和专用集成电路(ASIC)的设计和测试,片上系统(SOC), MEMS技术,半导体工艺和制造技术,集成电路封装等领域的稿件。
来稿应注意以下几个方面:
1. 篇幅。研究论文或技术报告应控制在8000字(A4幅面4页,含图、表)以内,综述文章不超过10000字(A4幅面5页,含图、表)。
2. 标题和摘要。论文标题不超过20个汉字。中英文摘要应简明扼要,说明文章的目的,主要工作过程及使用的方法,研究工作最后得到的结果和结论。中文摘要不超过300个汉字,英文摘要不超过150个英文单词。
3. 图表。文内图/表应精选,以不超过5幅为宜。插图宽度应小于8 cm。插图中的文字应清晰可辨,字号统一选用小五号,中文选仿宋体,西文选Times New Roman。电路仿真图及其他计算机生成的图形须用图形处理软件进行必要的处理,使图中的文字和数字符合本刊要求。若有彩色图形,请转换成黑白图形。若图中有坐标,需注明坐标所表示的物理量(斜体)和单位(正体)。若有图注,放在图的下部。每幅图均应标明图号,给出图题。表格提倡三线表,必要时可加辅助线。表号和表题放在表上。表中参数应标明量和单位(用符号),若单位相同,可统一写在表关或表顶线上右侧。若有表注,写在表底线下左侧。
4. 量和单位。文中的物理量和单位应符合国家有关标准。注意区分外文字母的大、小写和正、斜体、上下角标要标示清楚。计量单位请用GB3100—3102—93《量和单位》规定的法定计量单位。
5. 参考文献。文后参考文献的著录应符合国家相关标准。
6. 作者简介。作者简介应包括:作者姓名、出生年、性别、民族、籍贯、职称/学位,和主要研究方向。
7. 作者署名。论文署名是一件十分严肃的事情。在论文上署名的作者应为参与论文撰写,或对论文所涉及的研究工作有贡献的人,所有署名作者均应对文章内容负责。凡合著的论文,投稿前应仔细斟酌,考虑周全,并征得所有合著者的同意。文章投稿后,第一作者一般不得改动,其他作者及署名顺序也尽量不要变动,如确需变动,应由第一作者向编辑部出示所有合著者同意并亲笔签名(盖章)的函件。
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